ES1BL M2G
工場モデル | ES1BL M2G |
---|---|
メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
パッケージ | Sub SMA |
株式 | 3855 pcs |
データシート | ES1AL - ES1JL |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 950 mV @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 100 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | Sub SMA |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 35 ns |
パッケージ/ケース | DO-219AB |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 100 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 10pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | ES1B |
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